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元件参数资料
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参数目录39858
> FDFS6N754 MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
型号:
FDFS6N754
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDFS6N754 PDF
产品变化通告
Mold Compound Change 12/Dec/2007
产品目录绘图
Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
56 毫欧 @ 4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
299pF @ 15V
功率 - 最大
1.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
标准包装
其它名称
FDFS6N754DKR
查看FDFS6N754代理商
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